先進封裝也稱為高密度封裝,是一種集成電路封裝技術,旨在提高尺寸密度、信號傳輸速度和能效,包括倒裝焊、2.5D封裝、3D封裝、晶圓級封裝、Chiplet等。是相對于傳統封裝而言的概念,先進封裝是通過使用最先進的設計理念和集成化加工工藝,對芯片進行封裝級別的重新構建,以有效提升系統功能密度。目前在摩爾定律發展放緩的背景下,先進封裝通過創新封裝手段實現芯片更緊密的集成,正成為未來集成電路制造的重要發展方向。
一、先進封裝重要性日益凸顯,占市場價值比例持續上升
根據觀研報告網發布的《中國先進封裝行業現狀深度研究與投資前景預測報告(2024-2031年)》顯示,封裝是半導體后道制程,主要起芯片保護、連接作用。半導體封裝是指將生產加工后的晶圓進行切割、焊線塑封,并加工為成品芯片的過程,是半導體產業鏈中的關鍵一環,直接影響著芯片的性能和可靠性。
資料來源:公開資料,觀研天下整理
近年隨著集成電路工藝制程越發先進,對技術端和成本端均提出巨大挑戰,封裝行業實現了從傳統封裝到先進封裝的轉變。且在摩爾定律發展放緩的背景下,先進封裝通過創新封裝手段實現芯片更緊密的集成,正成為未來集成電路制造的重要發展方向。
相對于傳統封裝而言的概念,先進封裝則采用先進設計思路和集成工藝,對芯片進行封裝級重構,能有效提升系統高功能密度。它可在不單純依靠芯片制程工藝突破的情況下,通過晶圓級封裝和系統級封裝,提高產品集成度和功能多樣化,滿足終端應用對芯片輕薄、低功耗、高性能的需求,同時大幅降低芯片成本,在高端邏輯芯片、存儲器、射頻芯片、圖像處理芯片、觸控芯片等領域廣泛應用。
傳統封裝與FOWLP、以及以2.5D/3D為主的先進封裝對比情況
指標 |
傳統封裝 |
FOWLP |
2.5D/3D |
內存帶寬 |
低 |
中 |
高 |
能耗比 |
低 |
高 |
高 |
芯片厚度 |
高 |
低 |
中 |
芯片發熱 |
中 |
低 |
高 |
封裝成本 |
低 |
中 |
高 |
性能 |
低 |
中 |
高 |
形態 |
平面、芯片之間 缺乏高速互聯 |
多芯片、異質集成、芯片之間高 速互聯 |
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目前隨著半導體技術的不斷發展,先進封裝作為后摩爾時代全球集成電路的重要發展趨勢,正日益受到廣泛關注,占市場價值比例持續上升。有數據顯示,2023年全球先進封裝市場規模約為439億美元左右,占整體封裝市場的48.8%,接近市場的一半。預計2024年全球先進封裝市場份額將增長至49%,未來有望超越傳統封裝市場。
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二、人工智能等新興領域應用風潮推動,先進封裝需求持續旺盛
受存儲器下游市場應用端回溫、人工智能與高性能計算等應用風潮推動,先進封裝領域需求持續旺盛。當前全球人工智能行業市場規模正在爆發式增長。到2023年全球人工智能產業規模達7078億美元,同比增長19.3%。作為人工智能的開端,AI芯片得到巨大發展機遇。在過去35年中,全球半導體市場規模增長近20倍,年均增速達9%。到2030年,全球半導體市場規模有望增長到1萬億美元,年均復合增長率達到8%。
因此隨著人工智能應用的風潮推動,先進封裝領域需求將持續旺盛。一方面,消費電子等終端產品對設備需求越來越小型化,對應的芯片封裝尺寸要求也越來越高;另一方面,5G、高性能運算、智能駕駛、AR/VR、物聯網對芯片的性能提出了更高的要求,對應的芯片封裝密度要求也越來越高。芯片只有提供更小的尺寸和更好的能耗才能滿足下游領域的需求。先進封裝憑借更高的互聯密度和更快的通信速度,得到愈加廣泛的應用。
有相關預測分析,到2026年全球先進封裝市場規模增長至482億美元,年復合增長率6.2%。其中ED、3D-Stack、Fan-out的平均年復合增長率最大,分別達到24.8%、17.7%、12.0%。與此同時,未來部分封裝技術在特定領域會有進一步的滲透和發展,如Fan-out封裝在手機、汽車、網絡等領域會有較大的增量空間,如3D-Stack在AI、HPC、數據中心、CIS、MEMS傳感器等領域會有較大的增長空間。
此外半導體行業面臨的挑戰包括全球供應鏈重整,節能減碳與可持續發展等。其中,氣候變化是二十一世紀全球面臨的重大挑戰,眾多國家提出碳中和承諾,新能源汽車、綠色工廠、第三代半導體,為半導體產業帶來發展機會。據估算,生產一個2克重的計算機芯片,需要32公斤水資源,耗電3度;生產一片12英寸晶圓的耗水量約為4到5立方米,耗電1420度。全球綠色發展趨勢也為可持續的設計、制造、先進封裝技術帶來機遇。
三、FCBGA、2.5D/3D、FCCSP是當前先進封裝市場重要組成部分
從市場結構來看,當前先進封裝市場上主要有FCBGA、2.5D/3D、FCCSP、SIP、FO、WLCSP等類型。其中主要以FCBGA為主,在全球市場占比達34%;其次為2.5D/3D封裝和FCCSP封裝,在全球市場占比同約為20%,同為重要組成部分。
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四、巨頭相繼押注先進封裝賽道, 搶占市場有利地位
先進封裝技術的不斷創新是推動行業發展的重要動力。各企業紛紛加大研發投入,致力于提升技術水平和產品性能,以在競爭中占據有利地位。近兩年臺積電、英特爾、三星等國際巨頭相繼押注先進封裝賽道。
臺積電是全球先進封裝技術的領軍者之一,旗下3DFabric擁有CoWoS、InFO、SoIC三種先進封裝工藝。其中CoWoS是臺積電最經典的先進封裝技術之一。2011年至今,臺積電的CoWoS工藝已經迭代至第五代,期間中介層面積、晶體管數量、內存容量不斷擴大。Nvidia、AMD、Broadcom、Marvell等是臺積電CoWoS工藝的最大客戶。
此外據報道,臺積電計劃2025年在全球范圍內新建10家工廠,將專注于2nm制程工藝和晶圓上芯片封裝(CoWoS)技術。其中先進封裝工廠有3座,包括將收購的群創AP8液晶面板工廠改造成封裝工廠和在嘉義科學園區新建封裝工廠。
先進封裝市場的熱潮也吸引了芯片龍頭的加碼布局。2024年10月28日,英特爾宣布將擴容位于成都高新區的封裝測試基地。據了解,近幾年英特爾積極布局2.5D/3D先進封裝賽道,并已經推出EMIB、Foveros、Co-EMIB等多種先進封裝技術,力求通過2.5D/3D等多種異構集成的形式實現互聯帶寬倍增和功耗減半的目標。2018年,英特爾首次展示Foveros先進封裝技術,引入3D堆疊,在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片,實現橫向和縱向的互聯,且凸點間距進一步降低為25~50μm。英特爾表示Foveros可以將不同工藝、結構、用途的芯片整合到一起,從而將更多的計算電路組裝到單顆芯片上,以實現高性能、高密度和低功耗。該技術提供了極大的靈活性,設計人員可以再新的產品形態中“混搭”不同的技術專利模塊、各種存儲芯片、I/O配置,并使得產品能夠分解成更小的“芯片組合”。
此外三星也布局在2.5D/3D先進封裝技術領域,并已經推出I-Cube、X-Cube等先進封裝技術。針對2.5D封裝,三星推出的I-Cube技術可以和臺積電的CoWoS技術相媲美。針對3D封裝,三星在2020年推出X-Cube技術,將硅晶圓或芯片物理堆疊,并通過硅通孔(TSV)連接,最大程度上縮短了互聯長度,在降低功耗的同時提高傳輸速率。
除了臺積電、英特爾、三星等國際巨頭外,日月光控股、臺積電、英特爾、三星、通富微電、華天科技、甬矽電子、晶方科技等半導體龍頭企業也先后宣布投入資源,布局先進封裝相關技術與擴充產能。
例如長電科技推出的 XDFOI® Chiplet 高密度多維異構集成系列工藝已按計劃進入穩定量產階段,該技術涵蓋 2D、2.5D、3D 集成技術。甬矽電子通過實施 Bumping 項目掌握了 RDL 及凸點加工能力,并積極布局扇出式封裝(Fan-out)及 2.5D/3D 封裝工藝。
部分半導體龍頭廠商積極布局先進封裝賽道情況
企業名稱 | 布局情況 |
長電科技 | 在高性能先進封裝領域,公司推出的 XDFOI® Chiplet 高密度多維異構集成系列工藝已按計劃進入穩定量產階段,該技術涵蓋 2D、2.5D、3D 集成技術。子公司長電微電子晶圓級微系統集成高端制造項目,計劃 2024H1 開始設備進場。該項目聚焦全球領先的2.5D/3D 高密度晶圓級封裝,面向全球高性能、高算力市場。另外,長電科技并購存儲芯片封測廠晟碟半導體(上海)80%股權項目已完成交割;同時長電科技在上海臨港的首座車規級芯片先進封裝制造基地正在加速建設中。 |
通富微電 | 公司在 Chiplet、2D+等封裝技術方面均有儲備。截至2023 年12 月31日,公司累計國內外專利申請達 1544 件,先進封裝技術布局占比超六成。超大尺寸2D+封裝技術、3 維堆疊封裝技術、大尺寸多芯片 chip last 封裝技術已通過客戶驗證。2024年10月10日,總投資35.2億元的通富微電先進封測項目正式開工,該項目未來產品將廣泛應用于高性能計算、人工智能、網絡通信等多個領域。 |
華天科技 | 公司持續開展先進封裝技術和工藝研發,推進FOPLP 封裝工藝開發和2.5D工藝驗證,通過汽車級 AECQ100 Grade0 封裝工藝驗證,具備3D NANDFlash 32 層超薄芯片堆疊封裝能力。 |
晶方科技 | 公司是全球將 WLCSP 專注應用在以影像傳感器為代表的傳感器領域的先行者與引領者,同時擁有領先的硅通孔(TSV)、WLP、Fanout 等封裝技術。 |
甬矽電子 | 公司通過實施 Bumping 項目掌握了 RDL 及凸點加工能力,并積極布局扇出式封裝(Fan-out)及 2.5D/3D 封裝工藝。擬投14.6億元新增Fan-out和2.5D/3D封裝產能。 |
頎中科技、匯成股份 | 兩家公司在以凸塊制造(Bumping)和覆晶封裝(FC)為核心的先進封裝技術上積累了豐富經驗。 |
華天南京集成電路 | 2024年9月22日,投資100億元的華天南京集成電路先進封測產業基地二期項目奠基,未來產品瞄準存儲、射頻、算力、AI等領域。 |
日月光控股 | 2024年10月9日,日月光半導體新的K28工廠奠基,該工廠將加碼先進封裝終端測試以及AI芯片高性能計算。1 |
奇異摩爾和智原科技 | 雙方合作的2.5D封裝平臺成功進入量產階段。 |
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整體來看,當前全球廠商中海外前道廠商占據領先地位,封測廠商積極跟隨。國內企業均有布局跟進。先進封裝技術已成為“后摩爾時代”的重要路徑。
五、目前我國先進封裝市場規模較小,滲透率明顯低于全球,未來有較大發展空間
同全球走勢基本相同,近年我國先進封裝市場規模不斷增長,滲透率不斷提升。數據顯示,2023年,我國先進封裝滲透率達到39%。預計2024年我國先進封裝滲透率將增長至40%。
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但與國際先進水平相比,我國在先進封裝領域仍相對落后,市場規模仍較小,滲透率明顯低于全球,未來有較大發展空間。有數據顯示,2020年中國先進封裝市場規模約為351.3億元,占整體封裝市場規模的比例約14%,相較于全球先進封裝占封裝44.9%的比例低出不少。就算是到2023年,我國先進封裝滲透率也僅約39%,明顯低于全球(48.8%)。但預計隨著長電科技、華天科技、甬矽電子等廠商的2.5D、3D等先進封裝技術持續取得突破,國內廠商有望在全球半導體市場的競爭中將扮演越來越重要的角色。
當前我國先進封裝市場企業主要有長電科技、通富微電、華天科技、,晶方科技、甬矽電子、頎中科技、匯成股份等。其中長電科技、通富微電、華天科技在先進封裝領域相對領先。
我國先進封裝市場集中度較高,行業CR3達到77.4%。具體來看,長電科技、通富微電和華天科技為我國先進封裝三大龍頭企業。從業務收入來看,2023年,長電科技市場份額占比最大,達36.9%;其次為通富微電、華天科技,市場份額分別為26.4%、14.1%。
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