一、全球半導體存儲器發展前景廣闊,其中中國為最大主要市場
觀研報告網發布的《中國半導體存儲器行業發展趨勢調研與投資前景預測報告(2024-2031年)》顯示,半導體存儲器是進行信息存儲的關鍵器件,應用范圍較廣泛,可以應用于多數現代電子產品中,是市場占比較高的基礎性存儲產品。
隨著AI的大規模普及,半導體行業市場迎來了新的浪潮,受到大模型時代的高算力、大存儲的現實需求推動,下游市場復蘇疊加AI浪潮驅動,將GPU及存儲需求迅速提升。
數據顯示,2023年全球半導體存儲器市場規模約為903.7億美元,較上年同比下降35.1%;預計2024年全球半導體存儲器市場規模達1529億美元,較上年同比增長69.2%。
數據來源:觀研天下數據中心整理
從地區發展情況看,隨著半導體產業鏈向中國轉移,中國成為全球半導體存儲器第一大市場,占比接近30%;其次是美國和歐洲,占比16%、12%。
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二、半導體存儲器分為兩大類,目前DRAM和NAND Flash為市場主流
根據功能性及使用的主要存儲芯片類型不同,半導體存儲器分為易失性存儲器(簡稱RAM)和非易失性存儲器(簡稱ROM)。
RAM可分為靜態隨機存儲器(簡稱SRAM)和動態隨機存儲器(簡稱DRAM)兩類,SRAM 不需要周期性地刷新,速度比較快,但成本也較高,是利基存儲;DRAM需要周期性地刷新,速度較慢,但成本較低,是大宗存儲。
ROM主要包括掩膜型只讀存儲器、可編程只讀存儲器、快閃存儲器(簡稱Flash)。快閃存儲器的主流產品為NOR Flash 和NAND Flash,其中NAND 是大宗存儲,NOR 是利基存儲。
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目前全球半導體存儲器以DRAM和NAND Flash為主,總占比達97%,分別占比61%、36%。除得益于技術發展外,DRAM和NAND Flash分別受存儲容量擴大和存儲成本不斷優化驅動。
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三、全球半導體存儲器行業競爭高度集中,中國企業布局腳步加快
全球半導體存儲器行業競爭高度集中。在DRAM市場中,2023年三星、SK海力士和美光三大巨頭總市場份額達96%,分別占比41.4%、31.7%、22.9%;在NAND Flash市場中,三星、海力士、鎧俠、西部數據和美光五大企業占據主導地位,總市場份額接近95%;在NOR Flash市場中,兆易創新等國內企業也在積極布局。
數據來源:觀研天下數據中心整理
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與國外企業相比,中國企業起步較晚,發展空間較大。隨著全球化的競爭格局的加劇,中國的半導體存儲器行業發展必須更加注重創新和研發,向著高端制造和設計的方向發展,才能夠在行業中贏得更大的話語權。
我國半導體存儲器行業代表企業布局情況
企業名稱 | 布局情況 |
兆易創新 | 存儲器方面,公司為大陸存儲芯片龍頭生產商,產品線Nor+NAND+DRAM全覆蓋,其中Nor全球第三、大陸第一。此外,兆易創新是國內MCU龍頭。車載存儲龍頭生產商之一,有高速低功耗SRAM,低中密度 |
北京君正 | DRAM,NOR/NANDFlash,嵌入式Flash pFusion,及eMMC等芯片產品。其收購的北京矽成(控股美國ISSI存儲)在汽車DRAM領域,美光占據45%居全球第一,北京矽成占據15%居全球第二。 |
聚辰股份 | 提供存儲、模擬和混合信號集成電路產品并提供應用解決方案和技術支持服務。公司目前擁有EEPROM、音圈馬達驅動芯片和智能卡芯片三條主要產品線。 |
紫光國微 | 公司存儲器芯片業務由參股子公司紫光國芯承擔。紫光國芯主要從事存儲器設計開發、自有品牌存儲器芯片產品銷售,以及集成電路設計開發、測試服務,建設了完整先進的DRAM存儲器測試分析工程中心,同時擁有世界主流動態隨機存儲器和閃存存儲器設計開發技術和經驗。 |
復旦微電 | 復旦微電的存儲芯片產品線可提供多種接口、各型封裝、全面容量、高性價比的非揮發存儲器產品,目前主要產品為EEPROM 存儲器、NOR Flash 存儲器和SLC NAND Flash存儲器,具有多種容量、接口和封裝形式,整體市場份額居國內前列。 |
長鑫存儲 | 一體化存儲器制造商,公司專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發、生產和銷售,目前已建成12英寸晶圓廠并投產。DRAM產品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域。 |
長江存儲 | 專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業,同時也提供完整的存儲器解決方案。 |
普冉股份 | 公司主要產品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片 |
資料來源:觀研天下整理(zlj)
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